12月27日，御微半導(dǎo)體首臺(tái)晶圓套刻量測(cè)設(shè)備HOUYI產(chǎn)品發(fā)運(yùn)儀式于合肥御微圓滿舉行。

 作為半導(dǎo)體光刻工藝三大核心指標(biāo)之一，套刻誤差直接影響層與層之間的對(duì)準(zhǔn)精度，對(duì)半導(dǎo)體芯片的器件性能和良率起著決定性影響。隨著半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)不斷減小，先進(jìn)制程關(guān)鍵尺寸已達(dá)納米維度，因此光刻制程對(duì)套刻量測(cè)性能提出了極為苛刻的技術(shù)要求。御微半導(dǎo)體自主研發(fā)的晶圓套刻量測(cè)設(shè)備HOUYI產(chǎn)品，可滿足前道制程套刻量測(cè)要求。

 HOUYI產(chǎn)品名稱來源于中國古代神話中射日之神射手后羿，代表了御微HOUYI產(chǎn)品線精準(zhǔn)靈敏重復(fù)性高的產(chǎn)品特點(diǎn)。同時(shí)作為一款國產(chǎn)化半導(dǎo)體核心裝備，HOUYI產(chǎn)品線采用御微自研關(guān)鍵元件。

御微半導(dǎo)體晶圓套刻量測(cè)設(shè)備HOUYI

 HOUYI產(chǎn)品的推出，代表著御微半導(dǎo)體在光刻制程核心裝備版圖的進(jìn)一步完善，實(shí)現(xiàn)了晶圓檢測(cè)、掩模版檢測(cè)及晶圓量測(cè)三大領(lǐng)域的產(chǎn)品布局。御微半導(dǎo)體專注集成電路前道量檢測(cè)領(lǐng)域，將不斷提升優(yōu)化產(chǎn)品質(zhì)量，滿足客戶需求，以領(lǐng)先的智能設(shè)備、解決方案和服務(wù)為客戶創(chuàng)造價(jià)值，共同推進(jìn)中國集成電路設(shè)備產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展。